ਓਮੋਨ ਨੇੜਤਾ ਸੈਂਸਰ E2K-x15my1 e2k-x15my2

ਓਮੋਨ ਨੇੜਤਾ ਸੈਂਸਰ E2K-x15my1 e2k-x15my2 ਫੀਚਰਡ ਚਿੱਤਰ
  • ਓਮੋਨ ਨੇੜਤਾ ਸੈਂਸਰ E2K-x15my1 e2k-x15my2
  • ਓਮੋਨ ਨੇੜਤਾ ਸੈਂਸਰ E2K-x15my1 e2k-x15my2
  • ਓਮੋਨ ਨੇੜਤਾ ਸੈਂਸਰ E2K-x15my1 e2k-x15my2

ਛੋਟਾ ਵੇਰਵਾ:

ਉਤਪਾਦ ਦੇ ਵੇਰਵੇ


ਅਸੀਂ ਚੀਨ ਵਿਚ ਸਭ ਤੋਂ ਪ੍ਰੋਫੈਸ਼ਨਲ ਐਫ ਏ-ਸਟਾਪ ਸਪਲਾਇਰ ਵਿਚੋਂ ਇਕ ਹਾਂ. ਸ਼ਿਪਿੰਗ ਦਾ ਸਮਾਂ: ਭੁਗਤਾਨ ਪ੍ਰਾਪਤ ਕਰਨ ਤੋਂ ਬਾਅਦ 3-5 ਕਾਰਜਕਾਰੀ ਦਿਨਾਂ ਦੇ ਅੰਦਰ. ਭੁਗਤਾਨ ਦਾ ਤਰੀਕਾ: ਟੀ / ਟੀ, ਐਲ / ਟੀ, ਪੇਪਾਲ, ਵੈਸਟ ਯੂਨੀਅਨ, ਅਲੀਪ, ਵੇਚੇਟ ਅਤੇ ਇਸ ਤਰਾਂ ਵੀ

ਵਟਸਐਪ

ਉਤਪਾਦ ਵੇਰਵਾ

ਉਤਪਾਦ ਟੈਗਸ

ਆਈਟਮ ਮਾਡਲ E2k-x4me@, E2k-x4mf@, E2k-x4my@ E2k-x8me@, E2k-x8mf@, E2K-x8My@ E2k-x 15mme@, E2k-x15mf@, E2k-x15my@
ਸੈਂਸਿੰਗ ਦੂਰੀ 4mm ± 10% 8 ਮਿਲੀਮੀਟਰ ± 10% 15 ਮਿਲੀਮੀਟਰ ± 10%
ਦੂਰੀ ਨਿਰਧਾਰਤ ਕਰੋ*1 0 ਤੋਂ 2.8 ਮਿਲੀਮੀਟਰ 0 ਤੋਂ 5.6 ਮਿਲੀਮੀਟਰ 0 ਤੋਂ 10 ਮਿਲੀਮੀਟਰ
ਵੱਖਰੀ ਯਾਤਰਾ ਸੈਂਸਿੰਗ ਦੂਰੀ ਦਾ 4% ਤੋਂ 20%
ਖੋਜਣਯੋਗ ਵਸਤੂ ਕੰਡਕਟਰ ਅਤੇ ਡਾਇਲੈਕਟ੍ਰਿਕਸ
ਮਿਆਰੀ ਸੈਂਸਿੰਗ ਆਬਜੈਕਟ ਗਰਾਉਂਡਡ ਮੈਟਲ ਪਲੇਟ: 50 '50' 1 ਮਿਲੀਮੀਟਰ
ਜਵਾਬ ਬਾਰੰਬਾਰਤਾ ਈ ਅਤੇ ਐਫ ਮਾੱਡਲ: 100 ਐਚਜ਼, ਵਾਈ ਮਾੱਡਲ: 10 HZ
ਬਿਜਲੀ ਸਪਲਾਈ ਵੋਲਟੇਜ*2 (ਓਪਰੇਟਿੰਗ ਵੋਲਟੇਜ ਰੇਂਜ) ਈ ਅਤੇ ਐਫ ਮਾੱਡਲਾਂ: 12 ਤੋਂ 24 ਵੀ ਡੀ ਸੀ (10 ਤੋਂ 30 ਵੀਡੀਸੀ) y ਮਾਡਲ: 100 ਤੋਂ 220 ਵੀ.ਕੇ. (90 ਤੋਂ 250 ਡਾਲਰ)
ਮੌਜੂਦਾ ਖਪਤ ਈ ਅਤੇ ਐਫ ਮਾੱਡਲਾਂ: 15 ਐਮਏ ਮੈਕਸ.
ਲੀਕੇਜ ਮੌਜੂਦਾ Y ਮਾਡਲ: 2.2 ਮਾ ਮੈਕਸ. (ਪੰਨੇ ਦਾ ਹਵਾਲਾ ਲਓ).
ਮੌਜੂਦਾ ਲੋਡ ਕਰੋ ਈ ਅਤੇ ਐਫ ਮਾੱਡਲ: 200 ਐਮਏ ਮੈਕਸ. * 2, ਵਾਈ ਮਾੱਡਲ: 10 ਤੋਂ 200 ਐਮਏ
ਬਚੇ ਹੋਏ ਵੋਲਟੇਜ ਈ ਅਤੇ ਐਫ ਮਾੱਡਲਾਂ: 2 ਵੀ ਮੈਕਸ. (ਮੌਜੂਦਾ ਮੌਜੂਦਾ: 200 ਐਮਏ, ਕੇਬਲ ਦੀ ਲੰਬਾਈ: 2 ਮੀਟਰ), ਵਾਈ ਮਾੱਡਲ: ਵੇਖੋਇੰਜੀਨੀਅਰਿੰਗ ਡੇਟਾਪੰਨਾ 4 'ਤੇ.
ਸੰਕੇਤਕ ਈ ਅਤੇ ਐਫ ਮਾੱਡਲ: ਡਿਟੈਕਸ਼ਨ ਇੰਡੀਕੇਟਰ (ਰੈਡ), ਵਾਈ ਮਾੱਡਲ: ਓਪਰੇਸ਼ਨ ਸੂਚਕ (ਲਾਲ)
ਓਪਰੇਸ਼ਨ ਮੋਡ (ਆਸਬਸਤ ਆਬਜੈਕਟ ਦੇ ਨਾਲ) E1, F1, ਅਤੇ Y1 ਮਾੱਡਲ: NEE2, F2, ਅਤੇ Y2 Modes: NC ਅਧੀਨ ਟਾਈਮਿੰਗ ਚਾਰਟ ਦਾ ਹਵਾਲਾ ਦਿੰਦਾ ਹੈI / O ਸਰਕਟ ਚਿੱਤਰਵੇਰਵਿਆਂ ਲਈ ਪੰਨਾ 4 'ਤੇ.
ਸੁਰੱਖਿਆ ਸਰਕਟ ਈ ਅਤੇ ਐਫ ਮਾੱਡਲ: ਰਿਵਰਸ ਪੋਲਰਿਟੀ ਪ੍ਰੋਟੈਕਸ਼ਨ, ਸਰਪ੍ਰਸਤ ਪ੍ਰੈਸਰ, ਲੋਡ ਸ਼ੌਰਟ-ਸਰਕਟ ਪ੍ਰੋਟੈਕਸ਼ਨ, ਆਉਟਪੁੱਟ ਰਿਵਰਸ ਪੋਲਰ- Ivals: ਵਾਧਾ
ਅੰਬੀਨਟ ਤਾਪਮਾਨ ਸੀਮਾ ਓਪਰੇਟਿੰਗ / ਸਟੋਰੇਜ਼: -25 ਤੋਂ 70 ਡਿਗਰੀ ਸੈਲਸੀਅਸ (ਕੋਈ ਆਈਸਿੰਗ ਜਾਂ ਸੰਘਣੀ ਨਹੀਂ) ਓਪਰੇਟਿੰਗ / ਸਟੋਰੇਜ਼: -10 ਤੋਂ 55 ਡਿਗਰੀ ਸੈਲਸੀਅਸ (ਕੋਈ ਆਈਸਿੰਗ ਜਾਂ ਸੰਘਣੀ ਨਹੀਂ)
ਐਮਐਮੀਐਂਟ ਨਮੀ ਦੀ ਰੇਂਜ ਓਪਰੇਟਿੰਗ / ਸਟੋਰੇਜ: 35% ਤੋਂ 95% (ਕੋਈ ਸੰਘਣੀ ਨਹੀਂ)
ਤਾਪਮਾਨ ਪ੍ਰਭਾਵ 20% ਅਧਿਕਤਮ. ਓਪਰੇਟਿੰਗ ਤਾਪਮਾਨ ਸੀਮਾ ਵਿੱਚ 23 ਡਿਗਰੀ ਸੈਲਸੀਅਸ ਵਿੱਚ ਸੈਂਸਿੰਗ ਦੂਰੀ ਦਾ
ਵੋਲਟੇਜ ਪ੍ਰਭਾਵ ਈ ਅਤੇ ਐਫ ਮਾੱਡਲਾਂ: ± 2% ਅਧਿਕਤਮ. ਰੇਟਡ ਵੋਲਟੇਜ 'ਤੇ ਰੇਟ ਵੋਲਟੇਜ' ਤੇ ਸੈਂਸਿੰਗ ਦੂਰੀ 'ਤੇ ਸੈਂਸਿੰਗ ਡਿਸਟਰੀਜ ± 20% ਵਾਈ ਮਾੱਡਲਾਂ: ± 2% ਅਧਿਕਤਮ. ਰੇਟਡ ਵੋਲਟੇਜ 'ਤੇ ਰੇਟ ਵੋਲਟੇਜ' ਤੇ ਸੈਂਸਿੰਗ ਡਿਸਟਰੀਜ 'ਤੇ ਸੈਂਸਿੰਗ ਡਿਸਟਰੀਜ ± 10%
ਇਨਸੂਲੇਸ਼ਨ ਟੱਪਣ 50 ਮੈਏ ਮਿੰਟ. (500 VDC ਤੇ) ਮੌਜੂਦਾ ਲਿਜਾਣ ਵਾਲੇ ਭਾਗਾਂ ਅਤੇ ਕੇਸ ਦੇ ਵਿਚਕਾਰ
ਡਾਈਡੈਕਟਿਕ ਤਾਕਤ ਈ ਅਤੇ ਐਫ ਮਾੱਡਲ: 1000 ਡਾਲਰ, ਕੇਸ ਵਾਈ ਮਾੱਡਲਾਂ: ਮੌਜੂਦਾ-ਲਿਜਾਣ ਵਾਲੇ ਹਿੱਸਿਆਂ ਅਤੇ ਕੇਸ ਦੇ ਵਿਚਕਾਰ 1 ਮਿੰਟ ਲਈ 1,000 ਵੀਏਸੀ, 50/60 HZ
ਵਾਈਬ੍ਰੇਸ਼ਨ ਵਿਰੋਧ ਤਬਾਹੀ: x, y, ਅਤੇ z ਦਿਸ਼ਾਵਾਂ ਵਿੱਚ ਹਰੇਕ ਵਿੱਚ 2 ਘੰਟੇ ਲਈ 10 ਤੋਂ 55 ਐਚਜ਼, 1.5-ਮਿਲੀਮੀਟਰ ਡਬਲ ਐਪਲੀਕੇਡ
ਸਦਮਾ ਵਿਰੋਧ ਵਿਨਾਸ਼: x, y, ਅਤੇ z ਦਿਸ਼ਾਵਾਂ ਵਿਚ 500 ਮੀਟਰ / ਐਸ 2 3 ਵਾਰ 3 ਵਾਰ
ਸੁਰੱਖਿਆ ਦੀ ਡਿਗਰੀ ਆਈ ਪੀ 66 (ਆਈਈਸੀ), ਅੰਦਰ-ਅੰਦਰ ਮਿਆਰ: ਤੇਲ-ਰੋਧਕ
ਕੁਨੈਕਸ਼ਨ method ੰਗ ਪ੍ਰੀ-ਵਾਇਰਡ ਮਾਡਲਾਂ (ਸਟੈਂਡਰਡ ਕੇਬਲ ਲੰਬਾਈ: 2 ਮੀਟਰ)
ਭਾਰ (ਪੈਕ ਸਥਿਤੀ) ਲਗਭਗ 65 g ਲਗਭਗ 145 ਜੀ ਲਗਭਗ 205 ਜੀ
  • ਪਿਛਲਾ:
  • ਅਗਲਾ:

    • ਸਬੰਧਤ ਉਤਪਾਦ